IRFP150NPBF
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 100V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 42A(Tc)
栅源极阈值电压 4V @ 250uA
漏源导通电阻 36mΩ @ 23A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C) 160W(Tc)
类型 N沟道
IRFP150NPBF 商品目录 MOS(场效应管) 漏源电压(Vdss) 100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时) 42A(Tc) 栅源极阈值电压 4V @ 250uA 漏源导通电阻 36mΩ @ 23A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C) 160W(Tc) 类型 N沟道
IRFP150NPBF
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 100V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 42A(Tc)
栅源极阈值电压 4V @ 250uA
漏源导通电阻 36mΩ @ 23A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C) 160W(Tc)
类型 N沟道